Unerwartete Ge‐Ge‐Wechselwirkungen im “zweidimensionalen” Ge4Se3Te fanden R. Dronskowski et al., wie in der Zuschrift auf S. 10338 berichtet wird. Die Schichtverbindung wurde mittels chemischen Transports kristallisiert und erstmals strukturell charakterisiert. Ihre elektronische Struktur und der Ursprung der Ge‐Ge‐Wechselwirkungen wurden mithilfe chemischer Bindungsanalyse und der neu eingeführten Energiedichte(DOE)‐Funktion beleuchtet.