PON01_01725, PON Ricerca e Competitività 2007-2013

DESCRIZIONE DEL PROGETTO E RISULTATI CONSEGUITI

Questo Progetto ha affrontato le problematiche del fotovoltaico con un approccio ampio, partendo dalla tecnologia delle celle fotovoltaiche, proponendo metodi per ottimizzare la produzione di energia dei moduli utilizzando opportuna elettronica di potenza e circuiti logici, e andando a concretizzare le due precedenti attività nel campo del fotovoltaico integrato nelle costruzioni edili.

Per la tecnologia delle celle fotovoltaiche, sono stati studiati due campi distinti: le celle a film sottile e le celle a concentrazione.  Per i film sottili, la scelta è orientata verso soluzioni che non inquinano del tutto (il silicio) o che inquinano debolmente (nel CIGS il Cd è presente solo in uno strato molto sottile ed esistono approcci per eliminarlo del tutto). L’approccio fondamentale è un’analisi comparativa di varie tipologie di celle realizzate nell’ambito del Consorzio a livello di performance di cella a tempo zero e dopo stress accelerato di invecchiamento. L’altro aspetto che si è affrontato è quello delle celle per sistemi a concentrazione. L’attività è sempre basata su celle di silicio, esplorando l’uso di eterogiunzioni semiconduttore wide band-gap / Si. Le varie soluzioni per le celle PV sono state messe a confronto al fine di definire due tipologie di cella (una a film sottile l’altra per CPV), con particolare attenzione al coefficiente di temperatura, aspetto particolarmente rilevante per il tipo di dimostratori.

Partner: STMicroelectronics, SICEP, HTS, ENEL, CNR-IMM, ENEA-Portici, Uni-PA, Uni-CT, Uni-ME

L'attività del CNR-IMM ha riguardato una parte della tecnologia delle celle solari e in particolare:

• Celle di silicio policristallino sottile ottenuto per laser annealing.
• Celle con Nanofili di Silicio
• Celle di silicio amorfo ricco di ossigeno
• Sviluppo Celle di Silicio e ad eterogiunzione SIPOS / Si per CPV
• Definizione del processo di crescita di film sottili di 3C-SiC di tipo n su substrati di Si cristallino di tipo p per celle solari ad eterogiunzione SiC/Si
• Design, realizzazione, e caratterizzazione di celle ad eterogiunzione 3C-SiC  / Si
• Definizione del processo di crescita di film sottili policristallini di 3C-SiC di tipo n su substrati di SiC policristallino di tipo p per celle solari
• Design, realizzazione, e caratterizzazione di celle  di 3C-SiC policristallino

Coordinatore CNR: Salvatore Lombardo